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·锗酸铋闪烁晶体辐照损伤
机理和新效应研究 |
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Si3N4晶须的方法 |
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您的位置：科技成果>>锗酸铋闪烁晶体辐照损伤机理和新效应研究 |
项目类型： |
可转化成果 |
项目单位名称： |
中国科学院上海硅酸盐研究所 |
专利状况： |
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项目来源： |
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成果介绍及技术指标： |
在大量实验和理论分析的基础上，提出锗酸铋晶体色心模型，阐明辐照损伤机理，解决了BGO的辐照损伤问题。德、瑞科学家对BGO的测试表明“中国的BGO晶体抗辐照性能最好，证实了掺Eu提高辐照硬度的观点”。发现和发展了BGO在不同波长区的激光、磁光、光折变和声光性能。首次提出并演示了Nd:BGO晶体的激光、磁光复合功能。BGO 已成为我国自行开发的一种复合光电子材料。 |
应用范围： |
复合光电子材料 |
联系方式： |
联系人：唐铮 联系电话： 021-52412042 传真：021-52413903
邮编 200050 地址：上海定西路1295号
E-mail tzsic@sunm.shcnc.ac.cn |
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